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vasp算d带中心的问题
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最近在算四元合金表面氢吸附，要分析d带中心，有几个问题不太明白 1.应该算哪个体系的d带中心，是clean表面，还是包含吸附物的吸附表面体系？ 2.d-band 中心的大小与吸附能及吉布斯自由能的关系？ 3.对比不同位点吸附的体系时d-band积分区间是否需要一致，还是都是从负无穷到正无穷？(emax和emin采用的默认值) 4.我的体系包含pd、pt、cu、in，vasp计算时incar参数有什么需要注意的地方，以及分别算这四种元素纯单质的d带中心又需要注意什么？（我算出来的和吉布斯自由能的顺序对不上） |
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